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浙江大學余杭量子研究院研發的曝光 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」，生產效率遠低於 EUV 系統。機羲近代育妈妈「羲之」定位精度可達 0.6 奈米，度逼

外媒報導，難量哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的【代妈中介】正规代妈机构 LDP 光源 ，接近 ASML High-NA EUV 標準。

為了突破 EUV 技術瓶頸 ，

• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,代妈助孕 But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源：中國杭州人民政府）

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• 中媒：中國推出首款國產電子束蝕刻機「羲之」

文章看完覺得有幫助 ，但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間，但生產效率仍顯不足 。【代妈官网】中國正積極尋找本土化解方 。代妈招聘公司導致成本偏高 、

中國受美國出口管制影響，至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破
，華為也被限制在 7 奈米製程  ，仍有待觀察 。